基础电子材料/氧化物压敏电阻/110/5纳米/60%金属铝/创新生产工艺
工艺重点：1. 原材料加入方法， 2. 高低温沉淀
电阻具体性能可控：压敏电压/ V0.1mA：110VAC/172VDC, 最大限制电压/Vp(V) /lp(A)：650/200， 通流容量（8/20u s）： 25000/1次（A）/20000/2次（A）, 最大能量（J）/10/1000us: 330, 电容量/1KH Z (pF)：3200, 最大连续工作电压：320VDC/250VAC, 环境温度：-500C - 700C，最大功率： 50 mW， 容量/mm3：6V/160AH，响应时间： 30 mS
晶体结构：0.1纳米 – 100纳米
透光型， 透光度（600波长）， 高透光， 透光率：75%， 超高透光， 透光率：80%； 超高透光-1， 透光率：90%；
晶体， 单晶体， 多晶体
形状记忆/可以弯曲，不折断， 超低记忆， 记忆程度：1；低记忆， 记忆程度：3；中记忆， 记忆程度：5； 高记忆， 记忆程度：7；超高记忆， 记忆程度：9；
密度， 密度： 1 – 9
2. 工艺简单， 易于工厂大生产
3. 模块化和标准化生产， 调整工艺参数和原材料， 可以生产不同类型的电阻
4. 成本低， ≤ 25元/公斤
5. 设备简单和投入少， 适应中小企业进入
可以协助完成中试， 批量生产和检测等相关工作
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