基础电子材料/芯片/DRAM/DDR/64位/4英寸/1:1/2纳米
发表时间:2022-10-07 18:21:56 更新时间:2022-10-08 02:56:40
楼主:ty_梁东明
时间:2022-10-07 10:21:56
基础电子材料/芯片/DRAM/DDR/64位/4英寸/1:1/2纳米/创新生产工艺
特点:1. 低电压输入/输入电压: ≤100VDC, 高电压输出/输出电压:≤100VDC, 2. 输入电路/输出电流可控, 输入电流: ≤90mA, 输出电流: ≤可控, 3. 容量可控, 容量/mm3:6V/220AH
工艺重点:1. 原材料加入方法, 2. 高低温沉淀, 3. 完全解决光刻机卡脖子设备
工艺/产品优势:第一, 成本低, 第二, 产能高, 第三: 高温状态下保持良好的工作状态
100: 工作温度:≤100摄氏度
300: 工作温度:≤300摄氏度
500: 工作温度:≤500摄氏度
产品种类齐全
普通芯片,节能型芯片, 超导芯片
DRAM:SDRAM, DDR, SGRAM
FLASH:SDRAM, DDR, SGRAM
HDD:SDRAM, DDR, SGRAM
SSD:SDRAM, DDR, SGRAM
乙基芯片, 一乙基芯片, 二乙基芯片
甲基芯片, 一甲基芯片, 二甲基芯片
丁基芯片, 一丁基芯片, 二丁基芯片
4位 – 2048位
0.5英寸 - 100英寸
晶体结构:0.1纳米 – 100纳米
透光型, 透光度(600波长), 低透光, 透光率:75%, 中透光, 透光率:80%; 高透光, 透光率:90%;超高透光, 透光率:95%;
晶体, 单晶体, 多晶体
形状记忆/可以弯曲,不折断, 超低记忆, 记忆程度:1;低记忆, 记忆程度:3;中记忆, 记忆程度:5; 高记忆, 记忆程度:7;超高记忆, 记忆程度:9;
密度, 密度: 1 – 9
额定直流电压(VRDC): 6VDC-3000VDC
额定交流电压(VRAC): 6VAC - 750 VAC
直流浪涌电压(VPKDC):6VPKDC 3500VPKDC
工艺简单, 易于工厂大生产
模块化和标准化生产, 调整工艺参数和原材料, 可以生产不同类型的芯片
成本低, ≤ 25元/公斤
设备简单和投入少, 适应中小企业进入
可以协助完成中试, 批量生产和检测等相关工作
特点:1. 低电压输入/输入电压: ≤100VDC, 高电压输出/输出电压:≤100VDC, 2. 输入电路/输出电流可控, 输入电流: ≤90mA, 输出电流: ≤可控, 3. 容量可控, 容量/mm3:6V/220AH
工艺重点:1. 原材料加入方法, 2. 高低温沉淀, 3. 完全解决光刻机卡脖子设备
工艺/产品优势:第一, 成本低, 第二, 产能高, 第三: 高温状态下保持良好的工作状态
100: 工作温度:≤100摄氏度
300: 工作温度:≤300摄氏度
500: 工作温度:≤500摄氏度
产品种类齐全
普通芯片,节能型芯片, 超导芯片
DRAM:SDRAM, DDR, SGRAM
FLASH:SDRAM, DDR, SGRAM
HDD:SDRAM, DDR, SGRAM
SSD:SDRAM, DDR, SGRAM
乙基芯片, 一乙基芯片, 二乙基芯片
甲基芯片, 一甲基芯片, 二甲基芯片
丁基芯片, 一丁基芯片, 二丁基芯片
4位 – 2048位
0.5英寸 - 100英寸
晶体结构:0.1纳米 – 100纳米
透光型, 透光度(600波长), 低透光, 透光率:75%, 中透光, 透光率:80%; 高透光, 透光率:90%;超高透光, 透光率:95%;
晶体, 单晶体, 多晶体
形状记忆/可以弯曲,不折断, 超低记忆, 记忆程度:1;低记忆, 记忆程度:3;中记忆, 记忆程度:5; 高记忆, 记忆程度:7;超高记忆, 记忆程度:9;
密度, 密度: 1 – 9
额定直流电压(VRDC): 6VDC-3000VDC
额定交流电压(VRAC): 6VAC - 750 VAC
直流浪涌电压(VPKDC):6VPKDC 3500VPKDC
工艺简单, 易于工厂大生产
模块化和标准化生产, 调整工艺参数和原材料, 可以生产不同类型的芯片
成本低, ≤ 25元/公斤
设备简单和投入少, 适应中小企业进入
可以协助完成中试, 批量生产和检测等相关工作
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