基础电子材料/芯片/DRAM/DDR/64位/4英寸/1:1/2纳米/创新生产工艺
特点：1. 低电压输入/输入电压： ≤100VDC， 高电压输出/输出电压：≤100VDC， 2. 输入电路/输出电流可控， 输入电流： ≤90mA, 输出电流： ≤可控, 3. 容量可控， 容量/mm3：6V/220AH
工艺重点：1. 原材料加入方法， 2. 高低温沉淀， 3. 完全解决光刻机卡脖子设备
工艺/产品优势：第一， 成本低， 第二， 产能高， 第三： 高温状态下保持良好的工作状态
100： 工作温度：≤100摄氏度
300： 工作温度：≤300摄氏度
500： 工作温度：≤500摄氏度
产品种类齐全
普通芯片，节能型芯片， 超导芯片
DRAM：SDRAM, DDR, SGRAM
FLASH：SDRAM, DDR, SGRAM
HDD：SDRAM, DDR, SGRAM
SSD：SDRAM, DDR, SGRAM
乙基芯片， 一乙基芯片， 二乙基芯片
甲基芯片， 一甲基芯片， 二甲基芯片
丁基芯片， 一丁基芯片， 二丁基芯片
4位 – 2048位
0.5英寸 - 100英寸
晶体结构：0.1纳米 – 100纳米
透光型， 透光度（600波长）， 低透光， 透光率：75%， 中透光， 透光率：80%； 高透光， 透光率：90%；超高透光， 透光率：95%；
晶体， 单晶体， 多晶体
形状记忆/可以弯曲，不折断， 超低记忆， 记忆程度：1；低记忆， 记忆程度：3；中记忆， 记忆程度：5； 高记忆， 记忆程度：7；超高记忆， 记忆程度：9；
密度， 密度： 1 – 9
额定直流电压(VRDC)： 6VDC-3000VDC
额定交流电压(VRAC)： 6VAC - 750 VAC
直流浪涌电压(VPKDC)：6VPKDC 3500VPKDC
工艺简单， 易于工厂大生产
模块化和标准化生产， 调整工艺参数和原材料， 可以生产不同类型的芯片
成本低， ≤ 25元/公斤
设备简单和投入少， 适应中小企业进入
可以协助完成中试， 批量生产和检测等相关工作